سبد خرید شما خالی است.
شرح محصول
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 3.4V
Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:
Maximum collector current |Ic|, A: 30A
Maximum junction temperature (Tj), °C:
Rise time, nS: 150
Maximum collector capacity (Cc), pF:
Package: TO247
نظر بدهید
آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. فیلدهای الزامی مشخص شده اند.
فروشگاه
0 نظر
برای این محصول هیچ نظری ثبت نشده است. شما اولین نظر را ثبت کنید.