سبد خرید شما خالی است.
شرح محصول
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 600V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 1.8V Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 70A Maximum junction temperature (Tj), °C: Rise time, nS: 82 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: TO247
نظر بدهید
آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. فیلدهای الزامی مشخص شده اند.
فروشگاه
0 نظر
برای این محصول هیچ نظری ثبت نشده است. شما اولین نظر را ثبت کنید.