آی جی بی تی - IXDH20N120 HIGH VOLTAGE IGBT WITHOUTDIODE 1200V 38A

برند: GERMANY

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXYS

موجودی: تماس بگیرید

قیمت: 350,000 تومان

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXDH20N120

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V:

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 30A

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise time, nS: 0

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: TO247