
آی جی بی تی - IXDR30N120D1 HIGH VOLTAGHE IGBT WITH OPERATIONAL DIODE
برند: GERMANY
گروه: نیمه هادی
زیرگروه: آی جی بی تی
مدل / برند: IXYS
موجودی: تماس بگیرید
قیمت: 650,000 تومان
کلمات کلیدی: IXDR30N120D1
توضیحات:
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.9V Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 50A Maximum junction temperature (Tj), °C: Rise time, nS: 70 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: ISOPLUS247