آی جی بی تی - IXDT30N120 HIGH VOLTAGHE IGBT WITH OPERATIONAL DIODE
برند: GERMANY
گروه: نیمه هادی
زیرگروه: آی جی بی تی
مدل / برند: IXYS
موجودی: تماس بگیرید
قیمت: 500,000 تومان
کلمات کلیدی: IXDT30N120
توضیحات:
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 60A Maximum junction temperature (Tj), °C: 150 Rise time, nS: 0 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: TO268