آی جی بی تی - IXER35N120D1 NPT IGBT WITH DIODE 1200V 50A vce 2/2V
برند: GERMANY
گروه: نیمه هادی
زیرگروه: آی جی بی تی
مدل / برند: IXYS
موجودی: تماس بگیرید
قیمت: 750,000 تومان
کلمات کلیدی: ixer35n120d1
توضیحات:
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.8V
Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:
Maximum collector current |Ic|, A: 50A
Maximum junction temperature (Tj), °C:
Rise time, nS: 50
Maximum collector capacity (Cc), pF:
Package: ISOPLUS247