آی جی بی تی - IXDN75N120 HIGH VOLTAGE IGBT WITH OPTIONAL DIODE
برند: GERMANY
گروه: نیمه هادی
زیرگروه: آی جی بی تی
مدل / برند: IXYS
موجودی: تماس بگیرید
قیمت: 4,000,000 تومان
کلمات کلیدی: IXDN75N120 IXDN IXDN IXDN75 IXDN75N IXDN75N120 IGBT IGBT IGBT IGBT ای جی بی تی ای جی بی تی ای جی بی تی مینی بلوک IXYS IXYS IXYS
توضیحات:
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V:
Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:
Maximum collector current |Ic|, A: 120A
Maximum junction temperature (Tj), °C: 150
Rise time, nS: 0
Maximum collector capacity (Cc), pF:
Package: ISOTOP