آی جی بی تی - IXDN55N120D1 HIGH VOLTAGE IGBT WITH OPTIONAL DIODE
برند: GERMANY
گروه: نیمه هادی
زیرگروه: آی جی بی تی
مدل / برند: IXYS
موجودی: تماس بگیرید
قیمت: 3,000,000 تومان
کلمات کلیدی: IXDN55N120D1-ای جی بی تی _ای جی بی تی _ای جی بی تی _ ixys ixys ixys --IXDN IXDN IXDN55 IXDN55n IXDN55N120 IXDN55N120D1 IXDN120D1-IXDN55N120D1+IXYS+IXYS+IXYS ای جی بی تی مینی بلوک_ای جی بی تی
توضیحات:
Type of IGBT channel: N-Channel
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V:
Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:
Maximum collector current |Ic|, A: 85A
Maximum junction temperature (Tj), °C: 150
Rise time, nS: 0
Maximum collector capacity (Cc), pF:
Package: ISOTOP